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西電郝躍院士、張進成教授、周弘教授團隊：1.96?kV p-Cr?O?/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)二極管，理想因子1.07
該文章報道了一種具備千伏級擊穿電壓（BV）的 p-Cr2O3/n-Ga2O3 垂直異質(zhì)結(jié)二極管（HJD）。
2025-04-18 12:14:02
大連理工大學集成電路學院梁紅偉團隊以APL精選論文形式發(fā)表OVPE外延Ga?O?厚膜及缺陷形成機理重要論文
OVPE 方式具有生長速度快（≥10μm/h），成膜質(zhì)量高并且設備成本低等優(yōu)勢
2025-04-18 12:03:42
日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件
日本株式會社 Novel Crystal Technology（NCT）公司正式宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。
2025-04-15 09:46:48
西安電子科技大學郝躍院士、馬曉華教授團隊---探究 β-Ga?O? SBD 在正向電應力下的退化機制
該研究從缺陷演變的角度探討了恒定正向電應力對β-氧化鎵（β-Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）的影響。
2025-04-11 18:49:19
吉林大學董鑫教授團隊---利用 MOCVD 技術制造硅基氧化鎵光波導
本文利用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）方法，在 Si/SiO2 模板上成功生長了氧化鎵（Ga2O3）薄膜，并深入探討了生長溫度對薄膜結(jié)構(gòu)及光學性能的影響。
2025-04-11 16:41:51
